zeftera.ru.

Micron и Nanya произвели 42-нм DDR3-память

Micron Организации Micron Technologyи Nanya провозглашают о окончании подготовки микросхем DDR3 DRAM по свежему 42-нм техпроцессу ёмкостью 2 Гбит.

Чипсеты памяти обеспечивают скорость передачи данных до 1866 Mbit/с. Свежие сохраняющие энергию модули памяти работают при усилии питания 1,35 В, в отличии от прошлого поколения, которому свойственна работа при обычном усилии питания 1,5 В. Новинки будут предлагаться емкость которого составляет до 16 Гигабайт.

Организации Micron Technology и Nanya обладают общим заводом Inotera Memories по выпуску чипов памяти на Тайване, основанном в 2003 году. Первоначально компаньоном Nanya была организация Qimonda, однако в 2008 году ее долю купила Micron. Главными продуктами Inotera считаются модули памяти DDR2 и DDR3.

Организации ввели собственный передовой 42-нм процесс для создания свежих микросхем памяти достаточно благополучно и своевременно предложив нужный продукт покупателям. Со времени исхода на рынок Виндоус 7 запущен курс обновления ПК, так как Виндоус 7 увеличивает спрос на DDR3 память со стороны OEM-производителей ПК.

Переход на 42-нм процесс разрешил повысить выход чипов с одной подложки на 60%. Свежие микросхемы различаются повышенной энергоэффективностью и могут применяться как в серверных системах, настольных ПК, так и в компьютерах, нетбуках и прочих мобильных приборах. Многочисленное создание 42-нм DDR3-чипов начнется в третьем полугодии.

Оставить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *