Корейцы спроектировали свежую супербыструю флеш-память
Южнокорейские техники спроектировали свежий вид памяти, гарантирующий форсировать деятельность с цифровыми данными во всех электронных приборах.
Со слов создателей, новая память владеет не какой-нибудь новой технологией и не высокой частотой работы, тут инновация не менее основательная. Корейские исследователи спроектировали свежие микроскопичные ячеи памяти, в которых вмещаются данные в качестве спортивных зарядов. В любом сегодняшнем чипсете памяти подобных ячей тысячи млн.
Общая команда инженеров из Сеульского государственного института и корейского Института города Конкук говорит об образовании свежих чипов, способных держать данные без доступа электроэнергии (энергонезависимая память), применяющих углеродные нанотрубки и свежую «микро-электродинамическую технологию» доступа к данным.
Разработанные ячеи памяти готовы держать данные, записывая и/либо устраняя информацию за 0,0000001 сек. «Это существенный уровень и он до того не был достигнут ни для одного из существующих чипов энергонезависимой памяти. Благодаря такой скорости, свежие чипсеты владеют существенным потенциалом для работы в мобильных приборах грядущего», — говорит Ли Санг Вук, доктор физики и один из творцов подготовки.
Согласно его заявлению, свежие чипсеты приобрели свежую машинную технологию расположения электродинамического заряда, которая дает возможность вести непосредственную передачу электрического заряда на прямо непостоянный обтюратор ячеи памяти, что форсирует запись и вычеркивание данных с чипсета. Имеющиеся чипсеты надеются в работе на электрификацию плавучих затворов и подачи через них заряда для сбережения информации. Такой подход требует больше электроэнергии, сам же чипсет акцентирует больше тепла.
С помощью применения затворов, сделанных не из сплава, а из углеродных нанотрубок, можно специально форсировать время попадания заряда на устройство флеш-памяти.